采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT110N10L2
工作温度：-55℃~150℃
功率：600W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10500pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ650N10TL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10780pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT110N10L2
工作温度：-55℃~150℃
功率：600W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10500pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT110N10L2
工作温度：-55℃~150℃
功率：600W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10500pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ650N10TL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10780pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ650N10TL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10780pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RSJ650N10TL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ650N10TL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10780pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ650N10TL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10780pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ650N10TL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10780pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ650N10TL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10780pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT110N10L2
工作温度：-55℃~150℃
功率：600W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10500pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ650N10TL
连续漏极电流：65A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
栅极电荷：260nC@10V
导通电阻：9.1mΩ@32.5A，10V
阈值电压：2.5V@1mA
功率：100W
输入电容：10780pF@25V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT110N10L2
阈值电压：4.5V@250µA
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：260nC@10V
连续漏极电流：110A
包装方式：管件
功率：600W
导通电阻：18mΩ@55A，10V
输入电容：10500pF@25V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ650N10TL
连续漏极电流：65A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
栅极电荷：260nC@10V
导通电阻：9.1mΩ@32.5A，10V
阈值电压：2.5V@1mA
功率：100W
输入电容：10780pF@25V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT110N10L2
工作温度：-55℃~150℃
功率：600W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10500pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ650N10TL
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10.78nF@25V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.1mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT110N10L2
工作温度：-55℃~150℃
功率：600W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10500pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ650N10TL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10780pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT110N10L2
工作温度：-55℃~150℃
功率：600W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10500pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ650N10TL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10780pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ650N10TL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10780pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ650N10TL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10780pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
