品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:21.8A€95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3140,"22+":7497,"23+":7200,"MI+":2400}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7610-100B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6773pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3670
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€83W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2490pF@50V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@7.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP70N10S3L12AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12.1mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":14500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI70N10S3L12AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12.1mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@19A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1489}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3140,"22+":7497,"23+":7200,"MI+":2400}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7610-100B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6773pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:21.8A€95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1P12BBDTLL
功率:178W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:4.17nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.8mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:21.8A€95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:21.8A€95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":14500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI70N10S3L12AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12.1mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1P12BBDTLL
功率:178W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:4.17nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.8mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":14500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI70N10S3L12AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12.1mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3140,"22+":7497,"23+":7200,"MI+":2400}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7610-100B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6773pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3140,"22+":7497,"23+":7200,"MI+":2400}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7610-100B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6773pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: