包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34

工作温度：-55℃~+175℃

功率：57W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：24nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：31mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB042N10N3 G

工作温度：-55℃~175℃

功率：214W

阈值电压：3.5V@150µA

栅极电荷：117nC@10V

包装方式：Reel

输入电容：8410pF@50V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：4.2mΩ@50A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC252N10NSF G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：78W

阈值电压：2V

栅极电荷：17nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：19.5mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS123N H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.4V

栅极电荷：600pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：190mA

类型：MOSFET

导通电阻：2.4Ω

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC040N10NS5

工作温度：-55℃~+150℃

功率：139W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：58nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：100A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPG20N10S4L-22

工作温度：-55℃~+175℃

功率：60W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：27nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：20mΩ€20mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC440N10NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：29W

阈值电压：2.7V

栅极电荷：10.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5.3A

类型：MOSFET

导通电阻：44mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34

工作温度：-55℃~+175℃

功率：57W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：24nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：31mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS123N H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.4V

栅极电荷：600pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：190mA

类型：MOSFET

导通电阻：2.4Ω

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035N10A

工作温度：-55℃~+175℃

功率：333W

阈值电压：4V

栅极电荷：89nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：214A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS123N H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.4V

栅极电荷：600pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：190mA

类型：MOSFET

导通电阻：2.4Ω

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS123N H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.4V

栅极电荷：600pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：190mA

类型：MOSFET

导通电阻：2.4Ω

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34

工作温度：-55℃~+175℃

功率：57W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：24nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：31mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS123N H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.4V

栅极电荷：600pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：190mA

类型：MOSFET

导通电阻：2.4Ω

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS123N H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.4V

栅极电荷：600pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：190mA

类型：MOSFET

导通电阻：2.4Ω

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

类型：MOSFET

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR516DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：4V

栅极电荷：23.6nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：63.7A

类型：MOSFET

导通电阻：9mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

类型：MOSFET

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：XPH4R10ANB，L1XHQ

工作温度：-55℃~+175℃

功率：170W

阈值电压：3.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：75nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：70A

类型：MOSFET

导通电阻：4.1mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：7000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB70N10S3L-12

工作温度：-55℃~+175℃

功率：125W

阈值电压：1.7V

栅极电荷：60nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：70A

类型：MOSFET

导通电阻：12mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD90N10S4L-06

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：75nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90A

类型：MOSFET

导通电阻：6.6mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

类型：MOSFET

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：2574}

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUA170N10S5N031AUMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：197W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：67nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：170A

类型：MOSFET

导通电阻：3.1mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：XPH4R10ANB，L1XHQ

工作温度：-55℃~+175℃

功率：170W

阈值电压：3.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：75nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：70A

类型：MOSFET

导通电阻：4.1mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1