品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP036N10A
类型:1个N沟道
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
输入电容:7.295nF@25V
工作温度:-55℃~+175℃
连续漏极电流:120A
导通电阻:3.6mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
功率:333W
栅极电荷:116nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF4D5N10C
阈值电压:4V@310µA
输入电容:5065pF@50V
类型:N沟道
栅极电荷:68nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
功率:2.4W€37.5W
连续漏极电流:128A
漏源电压:100V
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDPF045N10A
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
栅极电荷:74nC@10V
导通电阻:4.5mΩ@67A,10V
输入电容:5270pF@50V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:43W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"09+":2267,"MI+":425}
规格型号(MPN):NTY100N10G
功率:313W
输入电容:10110pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:350nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:123A
包装方式:管件
导通电阻:10mΩ@50A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":721}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3707-1E
连续漏极电流:20A
栅极电荷:44nC@10V
导通电阻:60mΩ@10A,10V
功率:2W€25W
工作温度:150℃
类型:N沟道
输入电容:2150pF@20V
包装方式:管件
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF530A
栅极电荷:36 nC @ 10 V
导通电阻:110 毫欧 @ 7A,10V
输入电容:790 pF @ 25 V
连续漏极电流:14A(Tc)
类型:N 通道
包装方式:管件
阈值电压:4V @ 250µA
漏源电压:100V
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:55W(Tc)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP4D5N10C
功率:2.4W€150W
阈值电压:4V@310µA
输入电容:5065pF@50V
类型:N沟道
栅极电荷:68nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
连续漏极电流:128A
漏源电压:100V
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF530A
栅极电荷:36 nC @ 10 V
导通电阻:110 毫欧 @ 7A,10V
输入电容:790 pF @ 25 V
连续漏极电流:14A(Tc)
类型:N 通道
包装方式:管件
阈值电压:4V @ 250µA
漏源电压:100V
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:55W(Tc)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF2D3N10C
栅极电荷:152nC@10V
功率:45W
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
阈值电压:4V@700µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):RFP12N10L
阈值电压:2V @ 250µA
连续漏极电流:12A(Tc)
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:N 通道
功率:60W(Tc)
包装方式:管件
输入电容:900 pF @ 25 V
导通电阻:200 毫欧 @ 12A,5V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):HUF75645P3
输入电容:3790pF@25V
类型:N沟道
连续漏极电流:75A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:14mΩ@75A,10V
功率:310W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:238nC@20V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP150N10A-F102
导通电阻:15mΩ@50A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:21nC@10V
连续漏极电流:50A
输入电容:1440pF@50V
功率:91W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639G3
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
包装方式:管件
栅极电荷:130nC@20V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"09+":2267,"MI+":425}
规格型号(MPN):NTY100N10G
功率:313W
输入电容:10110pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:350nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:123A
包装方式:管件
导通电阻:10mΩ@50A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"10+":50,"13+":700,"14+":4125,"18+":125,"19+":244,"22+":52,"9999":150,"MI+":1700}
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):NTP6412ANG
栅极电荷:100nC@10V
功率:167W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:58A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:18.2mΩ@58A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:3500pF@25V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP100N10
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
导通电阻:10mΩ@75A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:75A
工作温度:-55℃~175℃
功率:208W
包装方式:管件
漏源电压:100V
输入电容:7300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA70N10
栅极电荷:110nC@10V
功率:214W
连续漏极电流:70A
输入电容:3300pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@35A,10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF2D3N10C
栅极电荷:152nC@10V
功率:45W
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP2D3N10C
栅极电荷:152nC@10V
连续漏极电流:222A
功率:214W
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP150N10A-F102
导通电阻:15mΩ@50A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:21nC@10V
连续漏极电流:50A
输入电容:1440pF@50V
功率:91W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP55N10
功率:155W
导通电阻:26mΩ@27.5A,10V
类型:N沟道
输入电容:2730pF@25V
连续漏极电流:55A
栅极电荷:98nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP8D5N10C
栅极电荷:34nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:76A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€107W
包装方式:管件
输入电容:2475pF@50V
导通电阻:8.5mΩ@76A,10V
漏源电压:100V
阈值电压:4V@130µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP036N10A
类型:1个N沟道
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
输入电容:7.295nF@25V
工作温度:-55℃~+175℃
连续漏极电流:120A
导通电阻:3.6mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
功率:333W
栅极电荷:116nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF2D3N10C
栅极电荷:152nC@10V
功率:45W
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
阈值电压:4V@700µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":19447,"9999":997,"MI+":3000}
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDPF045N10A
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
栅极电荷:74nC@10V
导通电阻:4.5mΩ@67A,10V
输入电容:5270pF@50V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:43W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF4D5N10C
阈值电压:4V@310µA
输入电容:5065pF@50V
类型:N沟道
栅极电荷:68nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
功率:2.4W€37.5W
连续漏极电流:128A
漏源电压:100V
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":125}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDPL180N10BG
导通电阻:3mΩ@15V,50A
类型:N沟道
功率:2.1W€200W
连续漏极电流:180A
工作温度:175℃
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:95nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
输入电容:6950pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):HUF75645P3
输入电容:3790pF@25V
类型:N沟道
连续漏极电流:75A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:14mΩ@75A,10V
功率:310W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:238nC@20V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":7810}
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):NTB6412ANG
栅极电荷:100nC@10V
功率:167W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:58A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:18.2mΩ@58A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:3500pF@25V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
栅极电荷:475nC@20V
类型:1个N沟道
功率:515W
连续漏极电流:75A
导通电阻:8mΩ@75A,10V
输入电容:7.585nF@25V
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+175℃
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: