品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP25N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC25P10Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):18N10
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:28nC@10V
输入电容:1.318nF@50V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:37mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ250P10TL
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:63mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1615
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ250P10TL
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:63mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ250P10TL
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:63mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ250P10TL
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:63mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC25P10Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1024pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ250P10TL
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:63mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ250P10TL
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:63mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ250P10FRATL
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:63mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC25P10YHE3-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:55Ω@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):18N10
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:28nC@10V
输入电容:1.318nF@50V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:37mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M43-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:20.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2309pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ250P10FRATL
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:63mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ250P10FRATL
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:63mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF10LA
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:52nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC25P10Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ250P10FRATL
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:63mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: