采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ410EL-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7350pF@25V
连续漏极电流：135A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLS4030TRL7PP
工作温度：-55℃~175℃
功率：370W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11490pF@50V
连续漏极电流：190A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@110A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA68EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA68EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€8.4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4150pF@50V
连续漏极电流：12A€17A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLS4030TRL7PP
工作温度：-55℃~175℃
功率：370W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：140nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11490pF@50V
连续漏极电流：190A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@110A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA12CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD70140EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
输入电容：14pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM70060EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS42LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2058pF@50V
连续漏极电流：11.3A€39A
类型：N沟道
导通电阻：14.9mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR170DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ476EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ476EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLS4030TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：370W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11360pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@110A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS42LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2058pF@50V
连续漏极电流：11.3A€39A
类型：N沟道
导通电阻：14.9mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR170DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA12CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR170DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：18.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ402EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2286pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC38N10YHE3-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP40NF10L
工作温度：175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：64nC@5V
包装方式：管件
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLS4030TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：370W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：130nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11360pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@110A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14pF@50V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：10855}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT760EN，135
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€6.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@80V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@800mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB40NF10LT4
工作温度：-65℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：64nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ488EP-T2_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：978pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
