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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K51TR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：325mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K51TR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：325mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10B08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：497pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10B08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：497pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10B08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：497pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
