采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMHC10H170SFJ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.3A
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMHC10H170SFJ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.3A
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ150N10LS3G
功率：2.1W
阈值电压：2.1V@33μA
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@10V，20A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ097N10NS5
功率：2.1W
阈值电压：3.8V@36μA
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@6V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMHC10H170SFJ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.3A
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ160N10NS3G
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@33μA
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@10V，20A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMHC10H170SFJ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.3A
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMHC10H170SFJ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.3A
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMHC10H170SFJ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.3A
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMHC10H170SFJ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.3A
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMHC10H170SFJ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.3A
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMHC10H170SFJ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.3A
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMHC10H170SFJ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.3A
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMHC10H170SFJ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.3A
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMHC10H170SFJ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.3A
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMHC10H170SFJ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A€2.3A
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ150N10LS3G
功率：2.1W
阈值电压：2.1V@33μA
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@10V，20A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ150N10LS3G
功率：2.1W
阈值电压：2.1V@33μA
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@10V，20A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
