采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R022M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：5.7V@12.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2288pF@400V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@41.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTL90N65G2V
工作温度：-55℃~175℃
功率：935W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：157nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3380pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：24Ω@40A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R107M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：5.7V@2.6mA
栅极电荷：15nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：496pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：141mΩ@8.9A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R057M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：161W
阈值电压：5.7V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@400V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@16.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C065080B7S
工作温度：-55℃~175℃
功率：136.4W
阈值电压：6V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@100V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R107M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：5.7V@2.6mA
栅极电荷：15nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：496pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：141mΩ@8.9A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH35N65G2V-7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R048M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：183W
阈值电压：5.7V@6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1118pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R057M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：161W
阈值电压：5.7V@5mA
栅极电荷：28nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@400V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@16.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG015N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4.3V@25mA
栅极电荷：283nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4689pF@325V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@75A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C065080B7S
工作温度：-55℃~175℃
功率：136.4W
阈值电压：6V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@100V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R022M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：5.7V@12.3mA
栅极电荷：67nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2288pF@400V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@41.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C065080B7S
工作温度：-55℃~175℃
功率：136.4W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：23nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@100V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R107M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：5.7V@2.6mA
栅极电荷：15nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：496pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：141mΩ@8.9A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R030M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：5.7V@8.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1643pF@400V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@29.5A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R057M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：161W
阈值电压：5.7V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@400V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@16.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R022M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：5.7V@12.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2288pF@400V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@41.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R260M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：5.7V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：201pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：346mΩ@3.6A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT040H65G3AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：221W
阈值电压：4.2V@1mA
栅极电荷：39.5nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@20A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH35N65G2V-7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH35N65G2V-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT040HU65G3AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：221W
阈值电压：4.2V@1mA
栅极电荷：39.5nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@20A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C065080B7S
工作温度：-55℃~175℃
功率：136.4W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：23nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@100V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT040HU65G3AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：221W
阈值电压：4.2V@1mA
栅极电荷：39.5nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@20A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C065080B7S
工作温度：-55℃~175℃
功率：136.4W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：23nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@100V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
