采购热线 400-661-9010
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCPF07N65-BP
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF12N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT7N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT10N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB12N65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF10N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT7N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF10N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA20N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：290W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB65CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：13.46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.37Ω@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCPF07N65-BP
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB12N65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT8N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT8N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT7N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT10N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF10N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT7N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA20N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：290W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT10N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB12N65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB65CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：13.46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.37Ω@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA20N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：290W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCPF07N65-BP
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCPF07N65-BP
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF10N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCPF07N65-BP
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCPF07N65-BP
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB12N65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT8N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
