品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG11N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:804pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBE20GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:6.5Ω@840mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU80R900P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:3.5V@110µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@500V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA11N80E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10J80E,S1E
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K4P7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:3.5V@700μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:250pF@500V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4Ω@10V,1.4A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@100V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP15N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:375mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBE20GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:6.5Ω@840mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7E80W,S1X
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@280µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@300V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG11N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:804pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA80R1K4CEXKSA2
工作温度:-40℃~150℃
功率:31W
阈值电压:3.9V@240µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@100V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA11N80C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3.9V@680µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT58M80J
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:960W(Tc)
阈值电压:5V @ 5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:570 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:17550 pF @ 25 V
连续漏极电流:60A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:110 毫欧 @ 43A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.8W
阈值电压:3.5V@80µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA11N80C3XKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3.9V@680µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA80R360P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.5V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:930pF@500V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP24N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1836pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD02N80C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@1.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA80R1K4CEXKSA2
工作温度:-40℃~150℃
功率:31W
阈值电压:3.9V@240µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@100V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA11N80C3XKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3.9V@680µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA11N80C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3.9V@680µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD360N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
栅极电荷:25.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1143pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@6,5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK80ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:575pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA11N80C3
功率:34W
阈值电压:3.9V@680μA
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ@10V,7.1A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:2.63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:102pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.25Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF650N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:30.5W
阈值电压:4.5V@800µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1565pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA80R900P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:3.5V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@500V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA24N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1836pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBE30STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: