品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.128nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@6.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.128nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@6.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP360N80S3Z
工作温度:-55℃~+150℃
功率:96W
阈值电压:3.8V
栅极电荷:25.3nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:360mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.128nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@6.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.128nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@6.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.128nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@6.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.128nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@6.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.128nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@6.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF360N80S3Z
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:3.8V@0.3mA
栅极电荷:25.3nC@10V
输入电容:1.143nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@10V,6.5A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF360N80S3Z
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:3.8V@0.3mA
栅极电荷:25.3nC@10V
输入电容:1.143nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@10V,6.5A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP360N80S3Z
工作温度:-55℃~+150℃
功率:96W
阈值电压:3.8V
栅极电荷:25.3nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:360mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP360N80S3Z
工作温度:-55℃~+150℃
功率:96W
阈值电压:3.8V
栅极电荷:25.3nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:360mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):NTP360N80S3Z
阈值电压:3.8V
包装方式:Tube
连续漏极电流:13A
导通电阻:360mΩ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:96W
漏源电压:800V
栅极电荷:25.3nC
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF360N80S3Z
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:3.8V@0.3mA
栅极电荷:25.3nC@10V
输入电容:1.143nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@10V,6.5A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.128nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@6.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP360N80S3Z
工作温度:-55℃~+150℃
功率:96W
阈值电压:3.8V
栅极电荷:25.3nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:360mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF360N80S3Z
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:3.8V@0.3mA
栅极电荷:25.3nC@10V
输入电容:1.143nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@10V,6.5A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP360N80S3Z
工作温度:-55℃~+150℃
功率:96W
阈值电压:3.8V
栅极电荷:25.3nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:360mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: