采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L020SPTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170-D74Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206GVTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306A
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L140SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000TA
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCA8123，L1Q
功率：84W
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：50A
类型：1个P沟道
导通电阻：14.9mΩ@6V，25A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L150SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ035N06HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：6.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD150N06TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：150µA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4106FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD221N06TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@10V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170-D75Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7760pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ30S06M3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：68W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3950pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：21.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8J31GZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4106FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
