品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ44PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:66nC@5V
包装方式:管件
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@31A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€60W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:14.2A€59A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6007LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@30V
连续漏极电流:15A€80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H600NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€160W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@30V
连续漏极电流:35A€250A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR014TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@4.6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C604NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8900pF@25V
连续漏极电流:287A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H600NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€160W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@30V
连续漏极电流:35A€250A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C673NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DW-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4340,"23+":7043}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD09P06PLGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:9.7A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@6.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:430mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C604NLT1G-UIL3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8900pF@25V
连续漏极电流:40A€287A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€60W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:14.2A€59A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN66D0LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6Ω@115mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ14PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.4nC@5V
包装方式:管件
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C646NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2164pF@25V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD08P06-155L-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€20.8W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC1D6N06CL
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6660pF@25V
连续漏极电流:35A€224A
类型:N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MTP3055VL
工作温度:-65℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@5V
包装方式:管件
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6007LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@30V
连续漏极电流:15A€80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H615NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€139W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4860pF@30V
连续漏极电流:28A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@49A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002W-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN66D0LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@115mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF3055L108T3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ14PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@5V
包装方式:管件
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002AQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD5865NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€71W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A€46A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@19A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055L104T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€48W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: