采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH2R106NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@10V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@55A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N06NSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：3.3V@120µA
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8125pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.45mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH2R106NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@10V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@55A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH2R106NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@10V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@55A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH2R106NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@10V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@55A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N06NSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：3.3V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8125pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.45mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N06NSSCATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：3.3V@120µA
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8125pF@30V
连续漏极电流：261A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N06NSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：3.3V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8125pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.45mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM045NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6870pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N06NSSCATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：3.3V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8125pF@30V
连续漏极电流：261A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N06NSSCATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：3.3V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8125pF@30V
连续漏极电流：261A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N06NSSCATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：3.3V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8125pF@30V
连续漏极电流：261A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N06NSSCATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：3.3V@120µA
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8125pF@30V
连续漏极电流：261A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N06NSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：3.3V@120µA
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8125pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.45mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH2R106NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@10V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@55A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH2R106NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@10V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@55A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH2R106NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@10V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@55A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH2R106NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@10V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@55A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH2R106NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@10V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@55A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N06NSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：3.3V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8125pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.45mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH2R106NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@10V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@55A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N06NSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：3.3V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8125pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.45mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N06NSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：3.3V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8125pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.45mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N06NSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：3.3V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8125pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.45mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N06NSSCATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：3.3V@120µA
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8125pF@30V
连续漏极电流：261A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N06NSSCATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：3.3V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8125pF@30V
连续漏极电流：261A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N06NSSCATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：3.3V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8125pF@30V
连续漏极电流：261A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N06NSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：3.3V@120µA
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8125pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.45mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM045NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6870pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N06NSSCATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：3.3V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8125pF@30V
连续漏极电流：261A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
