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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS660CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：11.2Ω@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z34STRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD640N06LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2V@16µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G700P06D3
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
类型：1个P沟道
导通电阻：57mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G700P06D3
阈值电压：2.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
类型：1个P沟道
导通电阻：57mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS660CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：11.2Ω@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS660CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：11.2Ω@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS660CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：11.2Ω@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z34STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD12N06RLESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：49W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6410pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6410pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z34STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：29627，"MI+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6410pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6410pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7414CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@8.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD12N06RLESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：49W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7414CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@8.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z34STRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G700P06D3
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
类型：1个P沟道
导通电阻：57mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7414CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@8.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7414CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@8.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6410pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7414CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@8.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
