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    行业应用: 汽车
    漏源电压: 60V
    包装方式: 卷带(TR)
    功率: 1.5W
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    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G02P06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:573pF@30V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:58
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G02P06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    类型:P沟道

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    功率:1.5W

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G02P06

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    功率:1.5W

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    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:6
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:6
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G02P06

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G02P06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

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    漏源电压:60V

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    库存:

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    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G02P06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

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    类型:P沟道

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G02P06

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    库存:

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    起购:86
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G02P06

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    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

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    类型:P沟道

    连续漏极电流:1.6A

    ECCN:EAR99

    输入电容:573pF@30V

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7415DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7415DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7415DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7415DN-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7415DN-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7415DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6017LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7414DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6017LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN86501LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@30V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:116mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6017LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6015LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6015LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6015LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:18.9nC@30V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1103pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6110SSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:19.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@30V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7465DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P-Channel

    导通电阻:64mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6010LSS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6010LSS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6010LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:41.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6110SSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:19.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@30V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN86501LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@30V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:116mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN86501LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@30V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:116mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7465DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7414DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7465DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P-Channel

    导通电阻:64mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
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