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    行业应用: 汽车
    漏源电压: 30V
    阈值电压: 2.5V@250μA
    工作温度: -55℃~+150℃
    当前匹配商品:400+
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    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020LDT-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020LDT-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3020LDT-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:670mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:393pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:20mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3021SSS-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.799nF@15V

    连续漏极电流:39A€10.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:15mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G170P03D3 起订36个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G170P03D3 起订36个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G170P03D3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:35W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:35nC@10V

    输入电容:1.805nF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:207pF@15V

    导通电阻:12mΩ@10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G170P03S2 起订16个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G170P03S2 起订16个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G170P03S2

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:18nC@10V

    输入电容:1.786nF@4.5V

    连续漏极电流:9A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:25mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS352AP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:300mΩ@10V,1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G100N03D5 起订13个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G100N03D5 起订13个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G100N03D5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:38nC@10V

    输入电容:5.595nF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:659pF@50V

    导通电阻:2.5mΩ@10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN018-30QLJ 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN018-30QLJ 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXN018-30QLJ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:10.9W€1.7W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:10.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:7.5A€19.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订31个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订31个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SSS-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SSS-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3021SSS-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.799nF@15V

    连续漏极电流:39A€10.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:15mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3071LFR4-7 起订31个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3071LFR4-7 起订31个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3071LFR4-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:4.5nC@10V

    输入电容:190pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660DC 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660DC 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7660DC

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3W€78W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.17nF@15V

    连续漏极电流:30A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8878 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8878 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8878

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:897pF@15V

    连续漏极电流:10.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCAC150N03A-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 MCAC150N03A-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC150N03A-TP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:75W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:92.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.498nF@15V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8884

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,8.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8884

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,8.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3071LFR4-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3071LFR4-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3071LFR4-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:4.5nC@10V

    输入电容:190pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8884

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,8.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8878 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8878 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8878

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:897pF@15V

    连续漏极电流:10.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9418_R2_00001 起订12个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9418_R2_00001 起订12个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9418_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:35nC@4.5V

    输入电容:4.305nF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@10V,18A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5411_R2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5411_R2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5411_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.556nF@15V

    连续漏极电流:45A€10A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:15.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8884

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,8.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS352AP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:300mΩ@10V,1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9407_R2_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9407_R2_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9407_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    输入电容:516pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:50mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8878 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8878 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8878

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:897pF@15V

    连续漏极电流:10.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660DC 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660DC 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2573,"21+":974,"22+":8117,"23+":21000,"MI+":5270}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7660DC

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3W€78W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.17nF@15V

    连续漏极电流:30A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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