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    行业应用: 汽车
    漏源电压: 30V
    阈值电压: 2.5V@250μA
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    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8870 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8870 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8870

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:160W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:118nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.16nF@15V

    连续漏极电流:21A€160A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA26EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA26EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA26EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:195nC@10V

    输入电容:9.778nF@25V

    连续漏极电流:410A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.77mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV15ENER 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV15ENER 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV15ENER

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:700mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:14nC@10V

    输入电容:440pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:20mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28ENEAR 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28ENEAR 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV28ENEAR

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:660mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@15V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:37mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA26EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA26EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA26EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:195nC@10V

    输入电容:9.778nF@25V

    连续漏极电流:410A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.77mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV15ENER 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV15ENER 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV15ENER

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:700mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:14nC@10V

    输入电容:440pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:20mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.525nF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订2100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订2100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订21000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订21000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.525nF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.525nF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.525nF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.525nF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28ENEAR 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28ENEAR 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV28ENEAR

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:660mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@15V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:37mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28ENEAR 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28ENEAR 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV28ENEAR

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:660mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@15V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:37mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订7500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订7500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.525nF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8870 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8870 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8870

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:160W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:118nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.16nF@15V

    连续漏极电流:21A€160A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.525nF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA26EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA26EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA26EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:195nC@10V

    输入电容:9.778nF@25V

    连续漏极电流:410A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.77mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.525nF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订12500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订12500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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