品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3021LK4-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:751pF@10V
连续漏极电流:9.4A€6.8A
类型:N和P沟道,共漏
导通电阻:21mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LPS-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:2.18W
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:126.2nC@10V
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:14.5A
类型:P沟道
输入电容:6234pF@15V
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3160L-7
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
漏源电压:30V
输入电容:227pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:122mΩ@2.7A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3008SFGQ-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2230pF@15V
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
连续漏极电流:8.6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LK3Q-13
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.1V@250µA
导通电阻:8mΩ@10A,10V
类型:P沟道
输入电容:6234pF@15V
栅极电荷:59.2nC@4.5V
功率:1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SSD-13
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:22mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6.7A
功率:1.5W
类型:2N沟道(双)
输入电容:697pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3099L-13
输入电容:563pF@25V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:65mΩ@3.8A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
栅极电荷:5.2nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3008SFGQ-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2230pF@15V
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
连续漏极电流:8.6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3008SFGQ-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2230pF@15V
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
连续漏极电流:8.6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3032LSD-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:8.1A€7A
阈值电压:2.1V@250µA
导通电阻:32mΩ@7A,10V
类型:N和P沟道
功率:2.5W
输入电容:404.5pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3099LQ-7
输入电容:563pF@25V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:65mΩ@3.8A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
栅极电荷:11nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LQ-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:70mΩ@3.8A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:8nC@4.5V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
输入电容:1008pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4413LSS-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:7.5mΩ@13A,10V
输入电容:4965pF@15V
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:46nC@5V
连续漏极电流:10.5A
类型:P沟道
功率:1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3099L-7
输入电容:563pF@25V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:65mΩ@3.8A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3008SFGQ-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2230pF@15V
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
连续漏极电流:8.6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3099L-13
输入电容:563pF@25V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:65mΩ@3.8A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056LSS-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:7.1A
阈值电压:2.1V@250µA
类型:P沟道
功率:2.5W
输入电容:722pF@25V
导通电阻:45mΩ@6A,10V
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3165LQ-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:800mW
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:2nC@10V
阈值电压:2.1V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@2.7A,10V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSDQ-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:20mΩ@6.9A,10V
输入电容:725pF@15V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:6.9A
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SSD-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:22mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6.7A
功率:1.5W
类型:2N沟道(双)
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:697pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3165LQ-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:800mW
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:2nC@10V
阈值电压:2.1V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@2.7A,10V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LQ-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:70mΩ@3.8A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:8nC@4.5V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
输入电容:1008pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3021LK4-13
导通电阻:21mΩ@7A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:9.4A€6.8A
类型:N和P沟道,共漏
阈值电压:2.1V@250µA
输入电容:751pF@10V
ECCN:EAR99
功率:2.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3008SFGQ-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2230pF@15V
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
连续漏极电流:8.6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSD-13
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:20mΩ@6.9A,10V
输入电容:725pF@15V
类型:2N沟道(双)
功率:2W
连续漏极电流:6.9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056LSS-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:7.1A
阈值电压:2.1V@250µA
类型:P沟道
功率:2.5W
输入电容:722pF@25V
导通电阻:45mΩ@6A,10V
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSN-7
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:6A
导通电阻:30mΩ@6A,10V
栅极电荷:10.5nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSNQ-7
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
导通电阻:30mΩ@6A,10V
栅极电荷:10.5nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056LDM-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:45mΩ@5A,10V
输入电容:948pF@25V
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:21.1nC@10V
类型:P沟道
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4413LSS-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:7.5mΩ@13A,10V
输入电容:4965pF@15V
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:46nC@5V
连续漏极电流:10.5A
类型:P沟道
功率:1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存: