采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：571，"19+"：149}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP6030BL
工作温度：-65℃~175℃
功率：60W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1160pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC079N03SG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：14.6A€40A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：6000}
包装规格(MPQ)：369psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2800T1L-E1-AY
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：散装
输入电容：1.77nF@15V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.3mΩ@17A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC079N03SG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：2V@30µA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：14.6A€40A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC079N03SG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：2V@30µA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：14.6A€40A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：6000}
包装规格(MPQ)：369psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2800T1L-E1-AY
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：散装
输入电容：1.77nF@15V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.3mΩ@17A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC079N03SG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：2V@30µA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：14.6A€40A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM6296
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2005pF@15V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
栅极电荷：17nC@5V
漏源电压：30V
工作温度：150℃
连续漏极电流：5A
功率：650mW
输入电容：850pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：50mΩ@5A，10V
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
栅极电荷：17nC@5V
漏源电压：30V
工作温度：150℃
连续漏极电流：5A
功率：650mW
输入电容：850pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：50mΩ@5A，10V
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：369psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2800T1L-E1-AY
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：散装
输入电容：1.77nF@15V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.3mΩ@17A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
栅极电荷：17nC@5V
漏源电压：30V
工作温度：150℃
连续漏极电流：5A
功率：650mW
输入电容：850pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：50mΩ@5A，10V
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03GZETB
栅极电荷：17nC@5V
漏源电压：30V
工作温度：150℃
连续漏极电流：5A
功率：650mW
输入电容：850pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：50mΩ@5A，10V
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
