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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€5.9W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:19.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7149ADP-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7149ADP-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7149ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5125pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€5.9W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:19.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€5.9W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:19.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€5.9W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:19.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7149ADP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7149ADP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7149ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5125pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7149ADP-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7149ADP-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7149ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5125pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N03VUG-E1-AY 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N03VUG-E1-AY 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP90N03VUG-E1-AY

    功率:105W€1.2W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

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    连续漏极电流:90A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@45A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7149ADP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7149ADP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7149ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5125pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@15A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7149ADP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7149ADP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7149ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5125pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€5.9W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:19.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7192DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7192DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7192DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5800pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€5.9W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:19.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7192DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7192DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7192DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5800pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€5.9W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:19.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N03VUG-E1-AY 起订190个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N03VUG-E1-AY 起订190个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP90N03VUG-E1-AY

    功率:105W€1.2W

    阈值电压:4V@250μA

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    栅极电荷:135nC@10V

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    连续漏极电流:90A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@45A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N03VUG-E1-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N03VUG-E1-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP90N03VUG-E1-AY

    功率:105W€1.2W

    阈值电压:4V@250μA

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    栅极电荷:135nC@10V

    输入电容:7.5nF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@45A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€5.9W

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    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:19.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7149ADP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7149ADP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7149ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

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    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5125pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@15A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N03VUG-E1-AY 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N03VUG-E1-AY 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP90N03VUG-E1-AY

    功率:105W€1.2W

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    ECCN:EAR99

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    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€5.9W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:19.2A

    类型:P沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€5.9W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:19.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N03VUG-E1-AY 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N03VUG-E1-AY 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP90N03VUG-E1-AY

    功率:105W€1.2W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    输入电容:7.5nF@25V

    连续漏极电流:90A

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    导通电阻:3.2mΩ@45A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€5.9W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:19.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€5.9W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:19.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7192DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7192DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7192DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5800pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7149ADP-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7149ADP-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7149ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5125pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€5.9W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:19.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7149ADP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7149ADP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7149ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5125pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7149ADP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7149ADP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7149ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5125pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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