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    VISHAY Mosfet场效应管 SIA931DJ-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA931DJ-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA931DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:445pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:65mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA918EDJ-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA918EDJ-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA918EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6342-TL-W 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6342-TL-W 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH6342-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.3V@1mA

    栅极电荷:8.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:73mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QH8KA2TCR 起订7个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8KA2TCR 起订7个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8KA2TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:365pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ045N03HZGTR 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ045N03HZGTR 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ045N03HZGTR

    工作温度:150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA918EDJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA918EDJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA918EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4840NR2G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4840NR2G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMD4840NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:24mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3050LVT-7 起订18个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3050LVT-7 起订18个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3050LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA931DJ-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA931DJ-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA931DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:445pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:65mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA918EDJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA918EDJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA918EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4840NR2G 起订1391个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4840NR2G 起订1391个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":223202,"10+":2500,"22+":50000,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMD4840NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:24mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF6E045AJTCR 起订13个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF6E045AJTCR 起订13个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF6E045AJTCR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:8.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23.7mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTQ045N03TR 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTQ045N03TR 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTQ045N03TR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QH8KA1TCR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8KA1TCR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8KA1TCR

    工作温度:150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:125pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:73mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA928DJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA928DJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA928DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA929DJ-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA929DJ-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA929DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:575pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:64mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QH8KA1TCR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8KA1TCR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8KA1TCR

    工作温度:150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:125pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:73mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA817EDJ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA817EDJ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA817EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W€6.5W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA918EDJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA918EDJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA918EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6342-TL-W 起订2063个装
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6342-TL-W 起订2063个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":8000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH6342-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:73mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA931DJ-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA931DJ-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA931DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:445pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:65mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON2812 起订9个装
    AOS Mosfet场效应管 AON2812 起订9个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON2812

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:37mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4840NR2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4840NR2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":1120,"10+":20000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4840NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4840NR2G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4840NR2G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":1120,"10+":20000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4840NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€1.66W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTQ045N03HZGTR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTQ045N03HZGTR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTQ045N03HZGTR

    工作温度:150℃

    功率:950mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RW4E045ATTCL1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RW4E045ATTCL1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RW4E045ATTCL1

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:11nC@10V

    输入电容:485pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:48mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8J62TB1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8J62TB1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8J62TB1

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:56mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF6E045AJTCR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF6E045AJTCR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF6E045AJTCR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:8.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23.7mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF6E045AJTCR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF6E045AJTCR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF6E045AJTCR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:8.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23.7mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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