首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA12ADN-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA12ADN-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA12ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.5W€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q5A 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q5A 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€36W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17578Q5A 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17578Q5A 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17578Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€42W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:22.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1510pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.5W€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD480 起订13个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD480 起订13个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD480

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€21W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD417 起订2500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD417 起订2500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD417

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:16.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17578Q5A 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17578Q5A 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17578Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€42W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:22.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1510pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA12ADN-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA12ADN-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA12ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87352Q5D 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87352Q5D 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87352Q5D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.5W

    阈值电压:1.15V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD25P03LT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@25A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2 起订14个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2 起订14个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17318Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@8A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87588N 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87588N 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87588N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:1.9V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:736pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:9.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA12ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA12ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA12ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK03E1DNS-00#J5 起订332个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK03E1DNS-00#J5 起订332个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":79482}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK03E1DNS-00#J5

    功率:15W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@4.5V

    输入电容:2.3nF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2T 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2T 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17318Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@8A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17318Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@8A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03PQ33 RGG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03PQ33 RGG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180N03PQ33 RGG

    工作温度:150℃

    功率:21W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD417 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD417 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD417

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17318Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@8A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD25P03LT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@25A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17318Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@8A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.5W€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87588NT 起订25个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87588NT 起订25个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87588NT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:736pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:9.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK03E1DNS-00#J5 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK03E1DNS-00#J5 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":79482}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK03E1DNS-00#J5

    功率:15W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@4.5V

    输入电容:2.3nF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€36W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03PQ33 RGG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03PQ33 RGG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180N03PQ33 RGG

    工作温度:150℃

    功率:21W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧