采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：917psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6612A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@5V
包装方式：散装
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3015LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3015LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW€1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW€1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW€1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW€1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3015LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3015LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW€1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6612A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6612A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW€1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：6380，"05+"：23135，"06+"：47011，"07+"：27500，"08+"：25000，"14+"：14889，"MI+"：237}
包装规格(MPQ)：917psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6612A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@5V
包装方式：散装
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.169nF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.169nF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6612A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6612A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.169nF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3015LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6612A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6612A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3015LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3015LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.169nF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW€1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：6380，"05+"：23135，"06+"：47011，"07+"：27500，"08+"：25000，"14+"：14889，"MI+"：237}
包装规格(MPQ)：917psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6612A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@5V
包装方式：散装
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.169nF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW€1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.169nF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
