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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7923DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：47mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7923DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
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连续漏极电流：4.3A
类型：2个P沟道（双）
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规格型号(MPN)：SI7923DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：4.3A
类型：2个P沟道（双）
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漏源电压：30V
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阈值电压：3V@250µA
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB4317EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.95W
阈值电压：1.3V
栅极电荷：6.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4.3A
类型：MOSFET
导通电阻：65mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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类型：MOSFET
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类型：MOSFET
导通电阻：65mΩ
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
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类型：2个P沟道（双）
导通电阻：47mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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包装方式：Reel
功率：1.95W
连续漏极电流：4.3A
栅极电荷：6.6nC
导通电阻：65mΩ
工作温度：-55℃~+150℃
类型：MOSFET
阈值电压：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7923DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
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包装方式：卷带（TR）
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：47mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7923DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：47mΩ@6.4A，10V
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