品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4103DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:14A€16A
类型:P沟道
导通电阻:7.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80P03P4L04AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:137W
阈值电压:2V@253µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11300pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:4.4mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26P3LLH6
工作温度:175℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:4.1A€5.1A
类型:P沟道
导通电阻:74mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ403EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LPSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.28W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1372pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90P03P404ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:137W
阈值电压:4V@253µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10300pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:4.5mΩ@90A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@8V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9435A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
输入电容:528pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ433EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4877pF@15V
连续漏极电流:75A
类型:P沟道
导通电阻:8.1mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:5.9A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:20.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP250,135
工作温度:150℃
功率:1.65W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3453DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:165mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB1200UPEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€1.67W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43.2pF@15V
连续漏极电流:410mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@410mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SL3407-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2347DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:3.8A€5A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9333TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@25µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:P沟道
导通电阻:19.4mΩ@9.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E030ATTCR
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:91mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR1309DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@15V
连续漏极电流:19.1A€65.7A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC4435BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2045pF@15V
连续漏极电流:8.5A€18A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA471DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:27.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF@15V
连续漏极电流:12.9A€30.3A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM650P03CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:6.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:810pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO6405
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D9UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:390mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.5pF@15V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:25.9A€94A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM9435CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551.57pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4155DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€4.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@15V
连续漏极电流:10.2A€13.6A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: