采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：692psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：10958，"05+"：127926，"06+"：234436，"08+"：11，"10+"：504，"11+"：6007，"12+"：8548，"13+"：363，"15+"：117，"MI+"：462223}
包装规格(MPQ)：692psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL150N3LLH6
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4040pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@16.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI55NF03L
工作温度：-60℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1265pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@27.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1456，"22+"：2471，"MI+"：709}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI55NF03L
工作温度：-60℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1265pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@27.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：7867}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP4302
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1195}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：19A€93A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL150N3LLH6
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4040pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@16.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：19A€93A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2114}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2114}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB4302T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1456，"22+"：2471，"MI+"：709}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：330psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：19A€93A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：9500，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6209-30C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1760pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：692psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：1700}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB4302G
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
