采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL56N3LLH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS407ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4572pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：10.8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL56N3LLH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS407ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4572pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：10.8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS407ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4572pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：10.8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS407ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4572pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：10.8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS407ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4572pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：10.8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS407ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4572pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：10.8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS407ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4572pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：10.8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS407ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4572pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：10.8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD70N03
功率：62.5W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：62.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.1mΩ@4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS407ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4572pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：10.8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS407ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4572pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：10.8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS407ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4572pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：10.8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD70N03
功率：62.5W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：62.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.1mΩ@4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS407ENW-T1_GE3
输入电容：4572pF@20V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：62.5W
栅极电荷：77nC@10V
阈值电压：2.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：10.8mΩ@12A，10V
类型：P沟道
ECCN：EAR99
连续漏极电流：16A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
