品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RCD041N25TL
工作温度:150℃
功率:850mW€29W
阈值电压:5.5V@1mA
栅极电荷:8.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3U041AAFRATL
功率:29W
阈值电压:5.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.3Ω@2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:29W
阈值电压:5.5V@1mA
ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.3Ω@2A,10V
漏源电压:250V
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功率:29W
阈值电压:5.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.3Ω@2A,10V
漏源电压:250V
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):RCD041N25TL
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功率:850mW€29W
阈值电压:5.5V@1mA
栅极电荷:8.5nC@10V
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输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2A,10V
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连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.3Ω@2A,10V
漏源电压:250V
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