品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8457DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:93nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@6V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB15XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:100nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2875pF@6V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB40UNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.33W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:556pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7410TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:91nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8676pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@16A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:715pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4153EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:151nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@6V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:8.32mΩ@14A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4453
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7410TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:91nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8676pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@16A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:0.71nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@6V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7329TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3450pF@10V
连续漏极电流:9.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:17mΩ@9.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB15XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:100nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2875pF@6V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB15XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2875pF@6V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:0.71nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@6V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8819EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:17nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@6V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@1.5A,3.7V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7329TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3450pF@10V
连续漏极电流:9.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:17mΩ@9.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM6501VPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:556mW€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@6V
连续漏极电流:6.2A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:715pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4153EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:151nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@6V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:8.32mΩ@14A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB40UNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.33W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:556pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8819EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:17nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@6V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@1.5A,3.7V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON2403
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.71nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@6V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON2403
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8819EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:17nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@6V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@1.5A,3.7V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1012UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:31nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1344pF@10V
连续漏极电流:12.6A€20A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9000,"19+":152995,"21+":22495,"22+":107995,"23+":63000,"MI+":22500}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM6501VPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:556mW€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@6V
连续漏极电流:6.2A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: