首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    行业应用: 汽车
    漏源电压: 12V
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: P沟道
    工作温度: 150℃
    当前匹配商品:300+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    连续漏极电流:4.8A

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    输入电容:1040pF@12V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@1mA

    漏源电压:12V

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6337-TL-W
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6337-TL-W

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":9000,"17+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CPH6337-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1122
    ROHM Mosfet场效应管 RZR020P01TL 起订27个装
    ROHM Mosfet场效应管 RZR020P01TL 起订27个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZR020P01TL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:27
    ROHM Mosfet场效应管 RW1A025APT2CR
    ROHM Mosfet场效应管 RW1A025APT2CR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RW1A025APT2CR

    工作温度:150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@6V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    onsemi Mosfet场效应管 CPH3348-TL-E
    onsemi Mosfet场效应管 CPH3348-TL-E

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":227394,"17+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CPH3348-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@6V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1781
    ROHM Mosfet场效应管 ES6U1T2R
    ROHM Mosfet场效应管 ES6U1T2R

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ES6U1T2R

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:2.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:260mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8308-TL-H 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8308-TL-H 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8308-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@6V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.5mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1A070ZPTR
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1A070ZPTR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1A070ZPTR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:58nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7400pF@6V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    ROHM Mosfet场效应管 RZR025P01TL
    ROHM Mosfet场效应管 RZR025P01TL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZR025P01TL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@6V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:61mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:224
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6336-TL-E
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6336-TL-E

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":3000,"18+":11996}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH6336-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@6V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:43mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2137
    ROHM Mosfet场效应管 RZQ050P01TR
    ROHM Mosfet场效应管 RZQ050P01TR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZQ050P01TR

    工作温度:150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@6V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:155
    ROHM Mosfet场效应管 RZR040P01TL
    ROHM Mosfet场效应管 RZR040P01TL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZR040P01TL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@6V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1335-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1335-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":45000,"14+":25000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1335-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@6V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2914
    ROHM Mosfet场效应管 RZQ050P01TR
    ROHM Mosfet场效应管 RZQ050P01TR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZQ050P01TR

    工作温度:150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@6V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RZR025P01TL
    ROHM Mosfet场效应管 RZR025P01TL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZR025P01TL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@6V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:61mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 RZL025P01TR
    ROHM Mosfet场效应管 RZL025P01TR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZL025P01TR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@6V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:61mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J505NU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J505NU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J505NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:37.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 RZL025P01TR 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RZL025P01TR 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZL025P01TR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@6V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:61mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 RZR025P01TL
    ROHM Mosfet场效应管 RZR025P01TL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZR025P01TL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@6V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:61mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 RZQ050P01TR
    ROHM Mosfet场效应管 RZQ050P01TR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZQ050P01TR

    工作温度:150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@6V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 RZQ050P01TR
    ROHM Mosfet场效应管 RZQ050P01TR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZQ050P01TR

    工作温度:150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@6V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8309-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8309-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":30000,"21+":6000,"22+":33000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8309-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@6V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:465
    ROHM Mosfet场效应管 RZR025P01TL
    ROHM Mosfet场效应管 RZR025P01TL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZR025P01TL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@6V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:61mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 RZR040P01TL
    ROHM Mosfet场效应管 RZR040P01TL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZR040P01TL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@6V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧