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    漏源电压: 12V
    类型: 1个N沟道
    当前匹配商品:10+
    商品信息
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    INFINEON Mosfet场效应管 BF998E6327 起订13个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BF998E6327 起订13个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BF998E6327

    功率:200mW

    连续漏极电流:30mA

    类型:1个N沟道

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GN2014 起订42个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GN2014 起订42个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GN2014

    连续漏极电流:15A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GN2014 起订53个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GN2014 起订53个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GN2014

    连续漏极电流:15A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMN28UN,135 起订2004个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN28UN,135 起订2004个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":6992,"15+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN28UN,135

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:700mV@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.1nC@4.5V

    输入电容:740pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMN28UN,135 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN28UN,135 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":6992,"15+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN28UN,135

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:700mV@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.1nC@4.5V

    输入电容:740pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GN2014 起订62个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GN2014 起订62个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GN2014

    连续漏极电流:15A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMN28UN,135 起订2004个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN28UN,135 起订2004个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN28UN,135

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:700mV@1mA

    栅极电荷:10.1nC@4.5V

    输入电容:740pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1014UFDF-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1014UFDF-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1014UFDF-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:6.4nC@4.5V

    输入电容:515pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:16mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1014UFDF-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1014UFDF-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1014UFDF-13

    栅极电荷:6.4nC@4.5V

    连续漏极电流:8A

    漏源电压:12V

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:1个N沟道

    阈值电压:1V@250μA

    导通电阻:16mΩ@2A,4.5V

    输入电容:515pF@6V

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GN2014 起订900个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GN2014 起订900个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GN2014

    漏源电压:12V

    类型:1个N沟道

    连续漏极电流:15A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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