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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.7nF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.7nF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH104N60F 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH104N60F 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH104N60F

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:357W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:139nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5.95nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:104mΩ@10V,18.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.7nF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.7nF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH104N60F 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH104N60F 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH104N60F

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:357W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:139nC@10V

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    输入电容:5.95nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:104mΩ@10V,18.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3

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    栅极电荷:74nC@10V

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    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3

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    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.7nF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH104N60F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH104N60F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH104N60F

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    功率:357W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:139nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5.95nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:104mΩ@10V,18.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH104N60F 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH104N60F 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH104N60F

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:357W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:139nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5.95nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:104mΩ@10V,18.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3

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    功率:250W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.7nF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.7nF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP27N60KPBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP27N60KPBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP27N60KPBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4.66nF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:220mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):25psc

    规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3

    类型:1个N沟道

    功率:250W

    栅极电荷:74nC@10V

    阈值电压:5V@250μA

    输入电容:2.7nF@100V

    包装方式:管件

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    连续漏极电流:40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.7nF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP20N60 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP20N60 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP20N60

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3.08nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP20N60 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP20N60 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP20N60

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3.08nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF16N60 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF16N60 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF16N60

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:37.9W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.25nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:260mΩ@8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.7nF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF43N60DM2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STF43N60DM2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF43N60DM2

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.5nF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:93mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH104N60F 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH104N60F 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH104N60F

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:357W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:139nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5.95nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:104mΩ@10V,18.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH104N60F 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH104N60F 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH104N60F

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:357W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:139nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5.95nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:104mΩ@10V,18.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF43N60DM2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STF43N60DM2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):STF43N60DM2

    类型:1个N沟道

    功率:40W

    输入电容:2.5nF@100V

    连续漏极电流:34A

    阈值电压:5V@250μA

    包装方式:管件

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:93mΩ@17A,10V

    栅极电荷:56nC@10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF43N60DM2 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STF43N60DM2 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):STF43N60DM2

    类型:1个N沟道

    功率:40W

    输入电容:2.5nF@100V

    连续漏极电流:34A

    阈值电压:5V@250μA

    包装方式:管件

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:93mΩ@17A,10V

    栅极电荷:56nC@10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP20N60 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP20N60 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):FCP20N60

    连续漏极电流:20A

    输入电容:3.08nF@25V

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    栅极电荷:98nC@10V

    功率:208W

    阈值电压:5V@250μA

    包装方式:管件

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):25psc

    规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3

    类型:1个N沟道

    功率:250W

    栅极电荷:74nC@10V

    阈值电压:5V@250μA

    输入电容:2.7nF@100V

    包装方式:管件

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    连续漏极电流:40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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