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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1080pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@9,5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD186N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1118pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:201mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD186N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1118pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:201mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI60R380C6XKSA1 起订313个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI60R380C6XKSA1 起订313个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":940}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI60R380C6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@320µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@100V

    连续漏极电流:10.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI60R380C6XKSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI60R380C6XKSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":940}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI60R380C6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@320µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@100V

    连续漏极电流:10.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1080pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@9,5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R380E6XKSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R380E6XKSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":500,"22+":500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R380E6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@320µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@100V

    连续漏极电流:10.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1080pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@9,5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R380E6XKSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R380E6XKSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R380E6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:31W

    阈值电压:3.5V@320µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@100V

    连续漏极电流:10.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1080pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@9,5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R380E6XKSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R380E6XKSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R380E6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@320µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@100V

    连续漏极电流:10.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R380E6XKSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R380E6XKSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R380E6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@320µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@100V

    连续漏极电流:10.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD186N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1118pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:201mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD186N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1118pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:201mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP10N60P 起订100个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP10N60P 起订100个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP10N60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200W

    阈值电压:5.5V@1mA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1610pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:740mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R380E6XKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R380E6XKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R380E6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@320µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@100V

    连续漏极电流:10.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R380C6XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R380C6XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R380C6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:31W

    阈值电压:3.5V@320µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@100V

    连续漏极电流:10.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1080pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@9,5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP10N60P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP10N60P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP10N60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200W

    阈值电压:5.5V@1mA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1610pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:740mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CF C0G 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CF C0G 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB190CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:59.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1311pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1080pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@9,5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CF C0G 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CF C0G 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB190CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:59.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1311pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1080pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@9,5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1080pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@9,5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1080pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@9,5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD186N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1118pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:201mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R380E6XKSA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R380E6XKSA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R380E6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@320µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@100V

    连续漏极电流:10.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CF C0G 起订50个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CF C0G 起订50个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB190CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:59.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1311pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1080pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@9,5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    IXYS Mosfet场效应管 IXFP10N60P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP10N60P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP10N60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200W

    阈值电压:5.5V@1mA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1610pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:740mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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