采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF068N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2628pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N60NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1676pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF068N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2628pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：900，"23+"：8659}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF20N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3080pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF20N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3080pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：415}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF190N60-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2950pF@25V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：900，"23+"：8659}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF20N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3080pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF7N60FD
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：995pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：415}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF190N60-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2950pF@25V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：280，"12+"：19459，"13+"：74943，"9999"：2000，"MI+"：3270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF10N60ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：15000，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF20N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3080pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N60NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1676pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF20N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3080pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF068N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2628pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF20N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3080pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NC1R5CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：242pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：280，"12+"：19459，"13+"：74943，"9999"：2000，"MI+"：3270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF10N60ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：900，"23+"：8659}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF20N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3080pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF7N60FD
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：995pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF20N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3080pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF068N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2628pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF10N60ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF10N60ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF7N60FD
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：995pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：109000，"MI+"：7000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF22N60NT
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
连续漏极电流：22A
类型：1个N沟道
导通电阻：165mΩ@10V，11A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF20N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3080pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
