品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT19F100J
工作温度:-55℃~150℃
功率:460W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@16A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT10045JLL
工作温度:-55℃~150℃
功率:460W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4350pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@11.5A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT37M100L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1135W
阈值电压:5V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:305nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9835pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@18A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APTM100H45SCTG
工作温度:-40℃~150℃
功率:357W
阈值电压:5V@2.5mA
包装方式:散装
输入电容:4350pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:540mΩ@9A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT29F100B2
工作温度:-55℃~150℃
功率:1040W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8500pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@16A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT10045JLL
工作温度:-55℃~150℃
功率:460W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4350pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@11.5A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT37M100L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1135W
阈值电压:5V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:305nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9835pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@18A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存: