品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA1R6N100D2HV
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:100W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 100µA
栅极电荷:27 nC @ 5 V
包装方式:管件
输入电容:645 pF @ 10 V
连续漏极电流:1.6A(Tj)
类型:N 通道
导通电阻:10 欧姆 @ 800mA,0V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:100W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 100µA
栅极电荷:27 nC @ 5 V
包装方式:管件
输入电容:645 pF @ 10 V
连续漏极电流:1.6A(Tj)
类型:N 通道
导通电阻:10 欧姆 @ 800mA,0V
漏源电压:1000V
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工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:100W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 100µA
栅极电荷:27 nC @ 5 V
包装方式:管件
输入电容:645 pF @ 10 V
连续漏极电流:1.6A(Tj)
类型:N 通道
导通电阻:10 欧姆 @ 800mA,0V
漏源电压:1000V
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包装方式:管件
输入电容:645 pF @ 10 V
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类型:N 通道
导通电阻:10 欧姆 @ 800mA,0V
漏源电压:1000V
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功率:100W(Tc)
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栅极电荷:27 nC @ 5 V
包装方式:管件
输入电容:645 pF @ 10 V
连续漏极电流:1.6A(Tj)
类型:N 通道
导通电阻:10 欧姆 @ 800mA,0V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
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