采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMGD7N45SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.64W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：256pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4Ω@400mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3145N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@100mA，0V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN0545GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：140mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@100mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSN1N45BTA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：900mW（Ta）
阈值电压：3.7V @ 250µA
栅极电荷：8.5 nC @ 10 V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：240 pF @ 25 V
连续漏极电流：500mA（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.25 欧姆 @ 250mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3545N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@150mA，0V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS1DNC45
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@500mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN0545GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：140mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@100mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN3N45K3
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：164pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@600mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3545N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@150mA，0V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN0545A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：90mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@100mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1985，"16+"：2500，"MI+"：17500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FW276-TL-2H
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@20V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12.1Ω@350mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN0545GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：140mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@100mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP0545GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：75mA
类型：P沟道
导通电阻：150Ω@50mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN0545A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：90mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@100mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN3N45K3
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：164pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@600mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP0545A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：45mA
类型：P沟道
导通电阻：150Ω@50mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN0545A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：90mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@100mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN0545A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：90mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@100mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H21DHE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：4.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：21Ω@300mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN0545GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：140mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@100mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP0545A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：45mA
类型：P沟道
导通电阻：150Ω@50mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H21DHE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：4.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：21Ω@300mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3545N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：136mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@150mA，0V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN0545A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：90mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@100mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMGD7N45SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.64W
阈值电压：4.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：256pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4Ω@400mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3145N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@100mA，0V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN0545A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：90mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@100mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H21DHE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：4.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：21Ω@300mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
