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包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXYN100N120C3H1
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXYN100N120C3H1
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXYN100N120C3H1
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"20+"：246}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FZ1500R33HL3BPSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：6nF@25V
集电极截止电流(Ices)：3300V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXYN100N120C3H1
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXYN100N120C3H1
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXYN100N120C3H1
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXYN100N120C3H1
工作温度：-55℃ ~ 150℃
输入电容：6nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXYN100N120C3H1
工作温度：-55℃ ~ 150℃
输入电容：6nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FZ1500R33HL3BPSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：6nF@25V
集电极截止电流(Ices)：3300V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXYN100N120C3H1
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"20+"：246}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FZ1500R33HL3BPSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：6nF@25V
集电极截止电流(Ices)：3300V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"20+"：246}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FZ1500R33HL3BPSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：6nF@25V
集电极截止电流(Ices)：3300V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
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输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXYN100N120C3H1
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXYN100N120C3H1
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXYN100N120C3H1
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"20+"：246}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FZ1500R33HL3BPSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：6nF@25V
集电极截止电流(Ices)：3300V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
