品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":350,"11+":659500,"14+":3075,"16+":2400}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD05N50Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF5N50FD
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.2V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF5N50FD
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.2V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF5N50FD
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功率:35W
阈值电压:4.2V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":350,"11+":659500,"14+":3075,"16+":2400}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD05N50Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:AOS
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):AOTF5N50FD
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功率:35W
阈值电压:4.2V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
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品牌:ON SEMI
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NDD05N50Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:18.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
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