生产批次:1820
销售单位:个
规格型号(MPN):RGTV80TK65DGVC11
栅极阈值电压(Vge(th)):1.9V@15V,40A
关断延迟时间:113ns
反向恢复时间:101ns
关断损耗:0.71mJ
开启延迟时间:39ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:81nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:1.02mJ
工作温度:-40℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RGTV80TK65DGVC11
栅极阈值电压(Vge(th)):1.9V@15V,40A
关断延迟时间:113ns
反向恢复时间:101ns
关断损耗:0.71mJ
开启延迟时间:39ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:81nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:1.02mJ
工作温度:-40℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOK30B65M2
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):90A
关断延迟时间:138ns
反向恢复时间:339ns
关断损耗:410µJ
开启延迟时间:34ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:63nC
集电极电流(Ic):2.1V@15V,30A
导通损耗:1.02mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RGTV80TK65DGVC11
栅极阈值电压(Vge(th)):1.9V@15V,40A
关断延迟时间:113ns
反向恢复时间:101ns
关断损耗:0.71mJ
开启延迟时间:39ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:81nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:1.02mJ
工作温度:-40℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RGTV80TS65DGC11
栅极阈值电压(Vge(th)):1.9V@15V,40A
关断延迟时间:113ns
反向恢复时间:101ns
关断损耗:0.71mJ
开启延迟时间:39ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:81nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:1.02mJ
工作温度:-40℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RGTV80TK65DGVC11
栅极阈值电压(Vge(th)):1.9V@15V,40A
关断延迟时间:113ns
反向恢复时间:101ns
关断损耗:0.71mJ
开启延迟时间:39ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:81nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:1.02mJ
工作温度:-40℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOK30B65M2
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):90A
关断延迟时间:138ns
反向恢复时间:339ns
关断损耗:410µJ
开启延迟时间:34ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:63nC
集电极电流(Ic):2.1V@15V,30A
导通损耗:1.02mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RGTV80TK65DGVC11
栅极阈值电压(Vge(th)):1.9V@15V,40A
关断延迟时间:113ns
反向恢复时间:101ns
关断损耗:0.71mJ
开启延迟时间:39ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:81nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:1.02mJ
工作温度:-40℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):RGTV80TK65DGVC11
栅极阈值电压(Vge(th)):1.9V@15V,40A
关断延迟时间:113ns
反向恢复时间:101ns
关断损耗:0.71mJ
开启延迟时间:39ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:81nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:1.02mJ
工作温度:-40℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ROHM
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
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规格型号(MPN):RGTV80TK65DGVC11
栅极阈值电压(Vge(th)):1.9V@15V,40A
关断延迟时间:113ns
反向恢复时间:101ns
关断损耗:0.71mJ
开启延迟时间:39ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:81nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:1.02mJ
工作温度:-40℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RGTV80TS65DGC11
栅极阈值电压(Vge(th)):1.9V@15V,40A
关断延迟时间:113ns
反向恢复时间:101ns
关断损耗:0.71mJ
开启延迟时间:39ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:81nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:1.02mJ
工作温度:-40℃~+175℃
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品牌:ROHM
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
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栅极阈值电压(Vge(th)):1.9V@15V,40A
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反向恢复时间:101ns
关断损耗:0.71mJ
开启延迟时间:39ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:81nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:1.02mJ
工作温度:-40℃~+175℃
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规格型号(MPN):RGTV80TS65DGC11
栅极阈值电压(Vge(th)):1.9V@15V,40A
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反向恢复时间:101ns
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集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:81nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:1.02mJ
工作温度:-40℃~+175℃
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关断损耗:0.71mJ
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集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:81nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:1.02mJ
工作温度:-40℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
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