品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":9406}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:31ns
关断损耗:45µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:31ns
关断损耗:45µJ
开启延迟时间:22ns
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栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
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关断损耗:45µJ
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工作温度:-55℃ ~ 175℃
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库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RGW00TS65CHRC11
包装方式:管件
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集电极电流(Ic):1.9V@15V,50A
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工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
包装方式:管件
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工作温度:-55℃ ~ 175℃
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT10B65M2
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:262ns
关断损耗:130µJ
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集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:24nC
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工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":9406}
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销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
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栅极电荷:99nC
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工作温度:-55℃ ~ 175℃
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
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工作温度:-55℃ ~ 175℃
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":9406}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
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反向恢复时间:31ns
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栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT10B65M2
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):30A
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关断损耗:130µJ
开启延迟时间:12ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:24nC
集电极电流(Ic):2V@15V,10A
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工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB10B65M1
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):30A
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反向恢复时间:262ns
关断损耗:130µJ
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集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:24nC
集电极电流(Ic):2V@15V,10A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB10B65M1
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:262ns
关断损耗:130µJ
开启延迟时间:12ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:24nC
集电极电流(Ic):2V@15V,10A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:31ns
关断损耗:45µJ
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集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
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工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RGW00TS65CHRC11
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:180ns
反向恢复时间:33ns
关断损耗:420µJ
开启延迟时间:49ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:141nC
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工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"14+":147000,"15+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJH60M2DPE-00#J3
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:70ns
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开启延迟时间:32ns
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栅极电荷:33nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.5V@15V,12A
导通损耗:180µJ
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
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反向恢复时间:31ns
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栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
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工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":9406}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:31ns
关断损耗:45µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RGW00TS65CHRC11
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:180ns
反向恢复时间:33ns
关断损耗:420µJ
开启延迟时间:49ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:141nC
集电极电流(Ic):1.9V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RGW00TS65CHRC11
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:180ns
反向恢复时间:33ns
关断损耗:420µJ
开启延迟时间:49ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:141nC
集电极电流(Ic):1.9V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:31ns
关断损耗:45µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:31ns
关断损耗:45µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RGW00TS65CHRC11
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:180ns
反向恢复时间:33ns
关断损耗:420µJ
开启延迟时间:49ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:141nC
集电极电流(Ic):1.9V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RGW00TS65CHRC11
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:180ns
反向恢复时间:33ns
关断损耗:420µJ
开启延迟时间:49ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:141nC
集电极电流(Ic):1.9V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"14+":147000,"15+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJH60M2DPE-00#J3
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:70ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:180µJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:33nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.5V@15V,12A
导通损耗:180µJ
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":9406}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:31ns
关断损耗:45µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"14+":147000,"15+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJH60M2DPE-00#J3
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:70ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:180µJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:33nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.5V@15V,12A
导通损耗:180µJ
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"14+":147000,"15+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJH60M2DPE-00#J3
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:70ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:180µJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:33nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.5V@15V,12A
导通损耗:180µJ
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"14+":147000,"15+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJH60M2DPE-00#J3
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:70ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:180µJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:33nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.5V@15V,12A
导通损耗:180µJ
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RGW00TS65CHRC11
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:180ns
反向恢复时间:33ns
关断损耗:420µJ
开启延迟时间:49ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:141nC
集电极电流(Ic):1.9V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:31ns
关断损耗:45µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: