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    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订153个装
    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订153个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"22+":9406}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):200A

    关断延迟时间:105ns

    反向恢复时间:31ns

    关断损耗:45µJ

    开启延迟时间:22ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:99nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A

    导通损耗:180µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订30个装
    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155

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    包装方式:管件

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    栅极电荷:99nC

    类型:沟槽型场截止

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    导通损耗:180µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订500个装
    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):200A

    关断延迟时间:105ns

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    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:99nC

    类型:沟槽型场截止

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    导通损耗:180µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM IGBT RGW00TS65CHRC11 起订100个装
    ROHM IGBT RGW00TS65CHRC11 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RGW00TS65CHRC11

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):200A

    关断延迟时间:180ns

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    关断损耗:420µJ

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    导通损耗:180µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订1个装
    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155

    包装方式:管件

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    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS IGBT AOT10B65M2 起订500个装
    AOS IGBT AOT10B65M2 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT10B65M2

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):30A

    关断延迟时间:91ns

    反向恢复时间:262ns

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    栅极电荷:24nC

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    导通损耗:180µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订1000个装
    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"22+":9406}

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    - +
    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订10个装
    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

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    导通损耗:180µJ

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    - +
    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订500个装
    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"22+":9406}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155

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    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:99nC

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    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    AOS IGBT AOT10B65M2 起订10个装
    AOS IGBT AOT10B65M2 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT10B65M2

    ECCN:EAR99

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    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    AOS IGBT AOB10B65M1 起订10个装
    AOS IGBT AOB10B65M1 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB10B65M1

    包装方式:卷带(TR)

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    关断损耗:130µJ

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    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS IGBT AOB10B65M1 起订4个装
    AOS IGBT AOB10B65M1 起订4个装

    品牌:AOS

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB10B65M1

    包装方式:卷带(TR)

    集电极脉冲电流(Icm):30A

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    关断损耗:130µJ

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    栅极电荷:24nC

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    导通损耗:180µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订1个装
    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):200A

    关断延迟时间:105ns

    反向恢复时间:31ns

    关断损耗:45µJ

    开启延迟时间:22ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:99nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A

    导通损耗:180µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM IGBT RGW00TS65CHRC11 起订10个装
    ROHM IGBT RGW00TS65CHRC11 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RGW00TS65CHRC11

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):200A

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    反向恢复时间:33ns

    关断损耗:420µJ

    开启延迟时间:49ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:141nC

    集电极电流(Ic):1.9V@15V,50A

    导通损耗:180µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS IGBT RJH60M2DPE-00#J3 起订106个装
    RENESAS IGBT RJH60M2DPE-00#J3 起订106个装

    品牌:RENESAS

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"14+":147000,"15+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJH60M2DPE-00#J3

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    关断延迟时间:70ns

    反向恢复时间:85ns

    关断损耗:180µJ

    开启延迟时间:32ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:33nC

    类型:沟道

    集电极电流(Ic):2.5V@15V,12A

    导通损耗:180µJ

    工作温度:150℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订120个装
    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订120个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):200A

    关断延迟时间:105ns

    反向恢复时间:31ns

    关断损耗:45µJ

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    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:99nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A

    导通损耗:180µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订5000个装
    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"22+":9406}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):200A

    关断延迟时间:105ns

    反向恢复时间:31ns

    关断损耗:45µJ

    开启延迟时间:22ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:99nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A

    导通损耗:180µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM IGBT RGW00TS65CHRC11 起订60个装
    ROHM IGBT RGW00TS65CHRC11 起订60个装

    品牌:ROHM

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RGW00TS65CHRC11

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):200A

    关断延迟时间:180ns

    反向恢复时间:33ns

    关断损耗:420µJ

    开启延迟时间:49ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:141nC

    集电极电流(Ic):1.9V@15V,50A

    导通损耗:180µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM IGBT RGW00TS65CHRC11 起订200个装
    ROHM IGBT RGW00TS65CHRC11 起订200个装

    品牌:ROHM

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RGW00TS65CHRC11

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):200A

    关断延迟时间:180ns

    反向恢复时间:33ns

    关断损耗:420µJ

    开启延迟时间:49ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:141nC

    集电极电流(Ic):1.9V@15V,50A

    导通损耗:180µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订10个装
    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):200A

    关断延迟时间:105ns

    反向恢复时间:31ns

    关断损耗:45µJ

    开启延迟时间:22ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:99nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A

    导通损耗:180µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订10个装
    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):200A

    关断延迟时间:105ns

    反向恢复时间:31ns

    关断损耗:45µJ

    开启延迟时间:22ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:99nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A

    导通损耗:180µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM IGBT RGW00TS65CHRC11 起订30个装
    ROHM IGBT RGW00TS65CHRC11 起订30个装

    品牌:ROHM

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RGW00TS65CHRC11

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):200A

    关断延迟时间:180ns

    反向恢复时间:33ns

    关断损耗:420µJ

    开启延迟时间:49ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:141nC

    集电极电流(Ic):1.9V@15V,50A

    导通损耗:180µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM IGBT RGW00TS65CHRC11 起订50个装
    ROHM IGBT RGW00TS65CHRC11 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RGW00TS65CHRC11

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):200A

    关断延迟时间:180ns

    反向恢复时间:33ns

    关断损耗:420µJ

    开启延迟时间:49ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:141nC

    集电极电流(Ic):1.9V@15V,50A

    导通损耗:180µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS IGBT RJH60M2DPE-00#J3 起订300个装
    RENESAS IGBT RJH60M2DPE-00#J3 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"14+":147000,"15+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJH60M2DPE-00#J3

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    关断延迟时间:70ns

    反向恢复时间:85ns

    关断损耗:180µJ

    开启延迟时间:32ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:33nC

    类型:沟道

    集电极电流(Ic):2.5V@15V,12A

    导通损耗:180µJ

    工作温度:150℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订300个装
    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"22+":9406}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):200A

    关断延迟时间:105ns

    反向恢复时间:31ns

    关断损耗:45µJ

    开启延迟时间:22ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:99nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A

    导通损耗:180µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS IGBT RJH60M2DPE-00#J3 起订1000个装
    RENESAS IGBT RJH60M2DPE-00#J3 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"14+":147000,"15+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJH60M2DPE-00#J3

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    关断延迟时间:70ns

    反向恢复时间:85ns

    关断损耗:180µJ

    开启延迟时间:32ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:33nC

    类型:沟道

    集电极电流(Ic):2.5V@15V,12A

    导通损耗:180µJ

    工作温度:150℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS IGBT RJH60M2DPE-00#J3 起订5000个装
    RENESAS IGBT RJH60M2DPE-00#J3 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"14+":147000,"15+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJH60M2DPE-00#J3

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    关断延迟时间:70ns

    反向恢复时间:85ns

    关断损耗:180µJ

    开启延迟时间:32ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:33nC

    类型:沟道

    集电极电流(Ic):2.5V@15V,12A

    导通损耗:180µJ

    工作温度:150℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS IGBT RJH60M2DPE-00#J3 起订500个装
    RENESAS IGBT RJH60M2DPE-00#J3 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"14+":147000,"15+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJH60M2DPE-00#J3

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    关断延迟时间:70ns

    反向恢复时间:85ns

    关断损耗:180µJ

    开启延迟时间:32ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:33nC

    类型:沟道

    集电极电流(Ic):2.5V@15V,12A

    导通损耗:180µJ

    工作温度:150℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM IGBT RGW00TS65CHRC11 起订30个装
    ROHM IGBT RGW00TS65CHRC11 起订30个装

    品牌:ROHM

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RGW00TS65CHRC11

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):200A

    关断延迟时间:180ns

    反向恢复时间:33ns

    关断损耗:420µJ

    开启延迟时间:49ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:141nC

    集电极电流(Ic):1.9V@15V,50A

    导通损耗:180µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订1000个装
    onsemi IGBT FGH50T65SQD-F155 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):200A

    关断延迟时间:105ns

    反向恢复时间:31ns

    关断损耗:45µJ

    开启延迟时间:22ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:99nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A

    导通损耗:180µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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