品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT75GN120JDQ3
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:4.8nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT75GT120JU2
包装方式:散装
输入电容:5.34nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT25GN120SG
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):75A
关断延迟时间:280ns
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:155nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,25A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT25GN120SG
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):75A
关断延迟时间:280ns
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:155nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,25A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APTGT200DU120G
包装方式:散装
输入电容:14nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-40℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APTGT200A120G
包装方式:散装
输入电容:14nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-40℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT100GN120B2G
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):300A
关断延迟时间:615ns
关断损耗:9.5mJ
开启延迟时间:50ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:540nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,100A
导通损耗:11mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT75GN120JDQ3
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:4.8nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT100GN120B2G
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):300A
关断延迟时间:615ns
关断损耗:9.5mJ
开启延迟时间:50ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:540nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,100A
导通损耗:11mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT100GN120B2G
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):300A
关断延迟时间:615ns
关断损耗:9.5mJ
开启延迟时间:50ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:540nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,100A
导通损耗:11mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):APT150GN120J
包装方式:管件
输入电容:9.5nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT100GN120B2G
工作温度:-55℃ ~ 150℃
开启延迟时间:50ns
导通损耗:11mJ
关断延迟时间:615ns
类型:沟槽型场截止
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:540nC
集电极脉冲电流(Icm):300A
集电极电流(Ic):2.1V@15V,100A
包装方式:管件
关断损耗:9.5mJ
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT75GN120JDQ3
工作温度:-55℃ ~ 150℃
类型:沟槽型场截止
输入电容:4.8nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
ECCN:EAR99
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT100GT120JU2
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:7.2nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APTGLQ25H120T1G
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:1.43nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT75GN120LG
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:620ns
关断损耗:11400µJ
开启延迟时间:60ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:425nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:8620µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT100GT120JU2
包装方式:散装
输入电容:7.2nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):APT150GN120J
包装方式:管件
输入电容:9.5nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):APT150GN120J
包装方式:管件
输入电容:9.5nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):APT150GN120J
包装方式:管件
输入电容:9.5nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT100GN120B2G
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):300A
关断延迟时间:615ns
关断损耗:9.5mJ
开启延迟时间:50ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:540nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,100A
导通损耗:11mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APTGLQ25H120T1G
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:1.43nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT75GN120LG
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:620ns
关断损耗:11400µJ
开启延迟时间:60ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:425nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:8620µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):APT150GN120J
包装方式:管件
输入电容:9.5nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: