品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):LSIC1MO120E0080
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@10mA
栅极电荷:95nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1825pF@800V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9640-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:48nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3072pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R075CPFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:3.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4000pF@100V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@26A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R057M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:161W
阈值电压:5.7V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@400V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@16.7A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9640-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:48nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3072pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R057M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:161W
阈值电压:5.7V@5mA
栅极电荷:28nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@400V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@16.7A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-30MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:519pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85312Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@10V
连续漏极电流:39A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:12.4mΩ@10A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3060ALHRC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:5.6V@6.67mA
栅极电荷:58nC@18V
包装方式:管件
输入电容:852pF@500V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":174}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R048M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5.7V@6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1118pF@400V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20.1A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3060ALHRC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:5.6V@6.67mA
栅极电荷:58nC@18V
包装方式:管件
输入电容:852pF@500V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y24-40PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:66W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@20V
连续漏极电流:39A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@8,2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3060ALGC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:5.6V@6.67mA
栅极电荷:58nC@18V
包装方式:管件
输入电容:852pF@500V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3P300BHTB1
功率:2W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:2.04nF@50V
连续漏极电流:39A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E180BNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E180BNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4126DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4405pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:2.75mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":75}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R075CPAFKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:313W
阈值电压:3.5V@1.74mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4000pF@100V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85312Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@10V
连续漏极电流:39A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:12.4mΩ@10A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":429,"14+":2029,"15+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85312Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@10V
连续漏极电流:39A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:12.4mΩ@10A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R057M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:161W
阈值电压:5.7V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@400V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@16.7A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3060ALGC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:5.6V@6.67mA
栅极电荷:58nC@18V
包装方式:管件
输入电容:852pF@500V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3P300BHTB1
功率:2W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:2.04nF@50V
连续漏极电流:39A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3060ALGC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:5.6V@6.67mA
栅极电荷:58nC@18V
包装方式:管件
输入电容:852pF@500V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK39N60W,S1VF(S
工作温度:+150℃
功率:270W
阈值电压:3.7V
栅极电荷:110nC@10V
连续漏极电流:39A
类型:N
导通电阻:65mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3060ALGC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:5.6V@6.67mA
栅极电荷:58nC@18V
包装方式:管件
输入电容:852pF@500V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3P300BHTB1
功率:2W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:2.04nF@50V
连续漏极电流:39A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):LSIC1MO120E0080
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@10mA
栅极电荷:95nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1825pF@800V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-30MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:519pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW65R048M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5.7V@6mA
栅极电荷:33nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1118pF@400V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20.1A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: