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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1228pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
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功率：2.5W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1228pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
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功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1228pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
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栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1228pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
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功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
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类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
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功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250µA
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栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1228pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250µA
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栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1228pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
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库存：
品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS2670
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
连续漏极电流：3A
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：130mΩ@3A，10V
功率：2.5W
栅极电荷：43nC@10V
阈值电压：4.5V@250μA
输入电容：1.228nF@100V
漏源电压：200V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS2670
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
连续漏极电流：3A
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：130mΩ@3A，10V
功率：2.5W
栅极电荷：43nC@10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
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行业应用：工业,汽车
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功率：2.5W
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栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
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分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
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栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
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栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
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