采购热线 400-661-9010
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2300
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@50µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401L
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2305U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：727pF@20V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3070SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2502TR(UMW)
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@50μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9926UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：980mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：28mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2305UX-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：10.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2305UXQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：10.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3401L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：880pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：75pF@15V
导通电阻：60mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2305UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：727pF@20V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@50µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PLG
功率：38W
阈值电压：2V@380μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：850mΩ@10V，3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.97W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV30UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2305UX-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：10.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K123TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：13.6nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@3A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：6007}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM4402UPEZ
工作温度：150℃
功率：400mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV30UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@50µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3070SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6420
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：11.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2502TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2305UX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：10.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2031，"23+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2502TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
