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    DIODES Mosfet场效应管 DMN3110S-7 起订32个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3110S-7 起订32个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3110S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305.8pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:73mΩ@3.1mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NTAG 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NTAG 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF4156NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:427pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NT1G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NT1G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF4156NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:427pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UFY4Q-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UFY4Q-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD3N80K5 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD3N80K5 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD3N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@100V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2307LQ-7 起订26个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2307LQ-7 起订26个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2307LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:371.3pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2307L-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2307L-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2307L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:371.3pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820ASPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820ASPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF820ASPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820PBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820PBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF820PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS205NH6327XTSA1 起订8个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS205NH6327XTSA1 起订8个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS205NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:419pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3552DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:105mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3110S-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3110S-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3110S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305.8pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:73mΩ@3.1mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820PBF 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820PBF 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF820PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2307LQ-7 起订32个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2307LQ-7 起订32个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2307LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:371.3pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV75UP,215 起订22个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV75UP,215 起订22个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV75UP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:102mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820APBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820APBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF820APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT2955

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT2955

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD14N03RT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.04W€20.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@20V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@5A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2165UW-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2165UW-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2165UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820PBF 起订52个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820PBF 起订52个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF820PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD3NK100Z 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD3NK100Z 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD3NK100Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@1.25A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3552DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:105mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K4P7ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K4P7ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R2K4P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@500V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@800mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDT2955 起订4000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDT2955 起订4000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT2955

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4 起订37个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4 起订37个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25481F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:0.913nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:189pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K4P7ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K4P7ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R2K4P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@500V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@800mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307BDS-T1-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307BDS-T1-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6561AN 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6561AN 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6561AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:95mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11DN8TA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11DN8TA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A11DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@40V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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