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    onsemi Mosfet场效应管 ECH8667-TL-H 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8667-TL-H 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8667-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:39mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPH6327XTSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPH6327XTSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL307SPH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:43mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPH6327XTSA1 起订1620个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPH6327XTSA1 起订1620个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":1847}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL307SPH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:43mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3035LWN-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3035LWN-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3035LWN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:399pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC645N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 UT6K3TCR 起订6个装
    ROHM Mosfet场效应管 UT6K3TCR 起订6个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):UT6K3TCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:42mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF6N80C 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF6N80C 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF6N80C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:51W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1310pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC645N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 06N06L 起订5个装
    谷峰 Mosfet场效应管 06N06L 起订5个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):06N06L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:765pF@30V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8667-TL-H 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8667-TL-H 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8667-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:39mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC645N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730ASPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730ASPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF730ASPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@3.3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3035LWN-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3035LWN-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3035LWN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:399pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6N50FTM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6N50FTM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD6N50FTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:19.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15Ω@2.75A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPH6327XTSA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPH6327XTSA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL307SPH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@40µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:43mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM320N03CX RFG 起订3000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM320N03CX RFG 起订3000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:8.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:792pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPL6327HTSA1 起订1832个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPL6327HTSA1 起订1832个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":666789}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL307SPL6327HTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:43mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIB6N60APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV25ENEAR 起订13个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV25ENEAR 起订13个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV25ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€6.94W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:597pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP6N80C 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP6N80C 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP6N80C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:158W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1310pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730PBF-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730PBF-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF730PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO6409 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6409 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6409

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF9N60M2 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STF9N60M2 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF9N60M2

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:320pF@100V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:780mΩ@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3G32DN8TA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3G32DN8TA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3G32DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:472pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC645N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF6N62K3 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STF6N62K3 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF6N62K3

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:875pF@50V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V

    漏源电压:620V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3035LWN-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3035LWN-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3035LWN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:399pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPH6327XTSA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPH6327XTSA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL307SPH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@40µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:43mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730ASPBF 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730ASPBF 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF730ASPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@3.3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK98150-55A/CUF 起订13个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK98150-55A/CUF 起订13个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK98150-55A/CUF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:5.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:137mΩ@5A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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