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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1241pF@15V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87312Q3E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：27A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：33mΩ@7A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF27S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1294pF@100V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@13.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1241pF@15V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1241pF@15V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP27N60KPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4660pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1241pF@15V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1241pF@15V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFX27N80Q
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：4.5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7600pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1241pF@15V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN32N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：690W
阈值电压：6.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14200pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@16A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1241pF@15V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1241pF@15V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP27N60KPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4660pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1241pF@15V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87312Q3E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：27A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：33mΩ@7A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R125CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：176W
阈值电压：4.5V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1329pF@400V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@6.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT27S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1294pF@100V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@13.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R125CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：176W
阈值电压：4.5V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1329pF@400V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@6.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1241pF@15V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1241pF@15V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R125CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：176W
阈值电压：4.5V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1329pF@400V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@6.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R125CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：176W
阈值电压：4.5V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1329pF@400V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@6.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87312Q3E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：27A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：33mΩ@7A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R125CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：176W
阈值电压：4.5V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1329pF@400V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@6.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT27S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1294pF@100V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@13.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP27N60KPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4660pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1241pF@15V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK27N80Q
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：170nC@10V
输入电容：7600pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87312Q3E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：27A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：33mΩ@7A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
